מספר מוצר של יצרן:
BSM120D12P2C005
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
BSM120D12P2C005-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
תיאור מפורט:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
מלאי:
13 יחידות חדשות מק originales במלאי
13523465
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSM120D12P2C005 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
Silicon Carbide (SiC)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200V (1.2kV)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.7V @ 22mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
14000pF @ 10V
הספק - מקס'
780W
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
חבילה / מארז
Module
חבילת מכשירים לספקים
Module
מספר מוצר בסיסי
BSM120
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
Q7641253
חבילה סטנדרטית
12
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
