מספר מוצר של יצרן:
NP55N055SDG-E1-AY
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
NP55N055SDG-E1-AY-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 55A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 55A (Tc) 1.2W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
מלאי:
12860276
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NP55N055SDG-E1-AY מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
55A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.5mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
96 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4800 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.2W (Ta), 77W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (MP-3ZK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFR48ZTRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
10062
DiGi מספר חלק
IRFR48ZTRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NP36P04SDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
NP109N055PUJ-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
HAT2096H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
