בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
NP36P04SDG-E1-AY
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
NP36P04SDG-E1-AY-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
מלאי:
11306 יחידות חדשות מק originales במלאי
12860283
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NP36P04SDG-E1-AY מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
36A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2800 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.2W (Ta), 56W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (MP-3ZK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
NP36P04
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
NP36P04SDG
גיליונות נתונים
NP36P04SDG-E1-AY
גיליון נתונים של HTML
NP36P04SDG-E1-AY-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
NP36P04SDG-E1-AYDKR
NP36P04SDG-E1-AYTR
559-NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYDKR-DG
NP36P04SDG-E1-AYTR-DG
NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYCT-DG
NP36P04SDG-E1-AY-DG
NP36P04SDGE1AY
-1161-NP36P04SDG-E1-AYCT
559-NP36P04SDG-E1-AYDKR
559-NP36P04SDG-E1-AYTR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NP109N055PUJ-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
HAT2096H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
HS54095TZ-E
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
NTTFS010N10MCLTAG
MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN