מספר מוצר של יצרן:
NP109N055PUJ-E1B-AY
Product Overview
יצרן:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
NP109N055PUJ-E1B-AY-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263
מלאי:
12860286
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NP109N055PUJ-E1B-AY מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
110A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
180 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta), 220W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
AUIRFS3107TRL
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3091
DiGi מספר חלק
AUIRFS3107TRL-DG
מחיר ליחידה
3.30
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SUM50020E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SUM50020E-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.18
סוג משאב
Similar
מספר חלק
PHB191NQ06LT,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
2694
DiGi מספר חלק
PHB191NQ06LT,118-DG
מחיר ליחידה
1.18
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPB90N06S4L04ATMA2
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1281
DiGi מספר חלק
IPB90N06S4L04ATMA2-DG
מחיר ליחידה
1.04
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HAT2096H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
HS54095TZ-E
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
NTTFS010N10MCLTAG
MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
