מספר מוצר של יצרן:
PJP60R980E_T0_00001
Product Overview
יצרן:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
PJP60R980E_T0_00001-DG
תיאור:
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12973546
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
PJP60R980E_T0_00001 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
PANJIT
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
980mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
58W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
PJP60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3757-PJP60R980E_T0_00001
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB33N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
DMP3021SFVWQ-7
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
IQE030N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
