מספר מוצר של יצרן:
IQE030N06NM5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IQE030N06NM5ATMA1-DG
תיאור:
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4
מלאי:
7383 יחידות חדשות מק originales במלאי
12973587
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IQE030N06NM5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Ta), 137A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.3V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3800 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSON-8-4
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
IQE030N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IQE030N06NM5ATMA1CT
448-IQE030N06NM5ATMA1DKR
448-IQE030N06NM5ATMA1TR
SP005399424
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP330P10NMAKSA1
TRENCH >=100V PG-TO220-3
PJQ4407P_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
MCAC75N02-TP
MOSFET N-CH DFN5060
