מספר מוצר של יצרן:
STB33N60M6
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB33N60M6-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12973548
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB33N60M6 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
MDmesh™ M6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1515 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
190W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB33
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-STB33N60M6TR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP3021SFVWQ-7
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
IQE030N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
IPP330P10NMAKSA1
TRENCH >=100V PG-TO220-3
