מספר מוצר של יצרן:
NVD5862NT4G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NVD5862NT4G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 98A (Tc) 4.1W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount DPAK
מלאי:
12842634
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NVD5862NT4G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Ta), 98A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.7mOhm @ 48A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
82 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
4.1W (Ta), 115W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DPAK
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
NVD586
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSNVD5862NT4G
NVD5862NT4G-VF01-DG
NVD5862NT4G-VF01
2156-NVD5862NT4G
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDD86569-F085
יצרן
onsemi
כמות זמינה
13945
DiGi מספר חלק
FDD86569-F085-DG
מחיר ליחידה
0.47
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRLR3636TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
30775
DiGi מספר חלק
IRLR3636TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.73
סוג משאב
Similar
מספר חלק
DMTH6005LK3-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
24823
DiGi מספר חלק
DMTH6005LK3-13-DG
מחיר ליחידה
0.39
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTMFS4933NT3G
MOSFET N-CH 30V 20A/210A 5DFN
NVMFS5113PLT1G
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
NTR4502PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
