מספר מוצר של יצרן:
IRLR3636TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRLR3636TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
מלאי:
30775 יחידות חדשות מק originales במלאי
12806393
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRLR3636TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3779 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
143W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IRLR3636
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
IRLR3636TRPBFDKR
IRLR3636TRPBFCT
IRLR3636TRPBFTR
SP001574002
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFSL4610PBF
MOSFET N-CH 100V 73A TO262
IRF8113TR
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRFIZ48VPBF
MOSFET N-CH 60V 39A TO220AB FP
