NVMFS5113PLT1G

מספר מוצר של יצרן:

NVMFS5113PLT1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NVMFS5113PLT1G-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN

תיאור מפורט:

P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

מלאי:

8321 יחידות חדשות מק originales במלאי

12842644

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NVMFS5113PLT1G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

10A (Ta), 64A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

14mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

83 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

4400 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.8W (Ta), 150W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN, 5 Leads

מספר מוצר בסיסי

NVMFS5113

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

NVMFS5113PLT1G-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

NVMFS5113PLT1GOSDKR

NVMFS5113PLT1G-DG

NVMFS5113PLT1GOSTR

NVMFS5113PLT1GOSCT

חבילה סטנדרטית

1,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

NTR4502PT1G

MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3

onsemi

NTTFS3A08PZTAG

MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN

onsemi

NVMFS5C404NAFT1G

MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN

onsemi

NVHL072N65S3

MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3