מספר מוצר של יצרן:
NTMD2P01R2G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMD2P01R2G-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 16V 2.3A 710mW Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12856505
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMD2P01R2G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
16V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
750pF @ 16V
הספק - מקס'
710mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
NTMD2P
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
NTMD2P01R2GOS
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTMD6P02R2G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
3322
DiGi מספר חלק
NTMD6P02R2G-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTGD3148NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
NTUD3127CT5G
MOSFET N/P-CH 20V 0.16A SOT963
NTMFD4C86NT3G
MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
