מספר מוצר של יצרן:
NTJD3158CT2G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTJD3158CT2G-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 20V 0.63A SC88
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 630mA, 820mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
מלאי:
12856576
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTJD3158CT2G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
630mA, 820mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
46pF @ 20V
הספק - מקס'
270mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SC-88/SC70-6/SOT-363
מספר מוצר בסיסי
NTJD31
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NTJD4105CT2G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
5990
DiGi מספר חלק
NTJD4105CT2G-DG
מחיר ליחידה
0.08
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFD5877NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
NDS8858H
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
NVMFD5C446NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN