מספר מוצר של יצרן:
NTMFD4C86NT3G
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
NTMFD4C86NT3G-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
מלאי:
12856526
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
NTMFD4C86NT3G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.3A, 18.1A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22.2nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1153pF @ 15V
הספק - מקס'
1.1W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-DFN (5x6)
מספר מוצר בסיסי
NTMFD4
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSNTMFD4C86NT3G
2156-NTMFD4C86NT3G-OS
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
HP8KA1TB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2500
DiGi מספר חלק
HP8KA1TB-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTJD3158CT2G
MOSFET N/P-CH 20V 0.63A SC88
NVMFD5877NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
NDS8858H
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC