מספר מוצר של יצרן:
FDS3601
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS3601-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
12846539
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS3601 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
480mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
153pF @ 50V
הספק - מקס'
900mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
FDS36
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF7103TRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
9567
DiGi מספר חלק
IRF7103TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.29
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FDC3601N
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FDC3601N-DG
מחיר ליחידה
0.17
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AON6884L_002
MOSFET 2N-CH 40V 34A 8DFN
AON3814
MOSFET 2N-CH 20V 8DFN
AON3820
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8DFN
