FDG6335N

מספר מוצר של יצרן:

FDG6335N

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDG6335N-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88

תיאור מפורט:

Mosfet Array 20V 700mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

מלאי:

10651 יחידות חדשות מק originales במלאי

12846575

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDG6335N מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

700mA

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

1.4nC @ 4.5V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

113pF @ 10V

הספק - מקס'

300mW

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

חבילת מכשירים לספקים

SC-88 (SC-70-6)

מספר מוצר בסיסי

FDG6335

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDG6335NTR

FDG6335NCT

Q1609797

FDG6335N-DG

FDG6335NDKR

FDG6335N-NDR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FDZ1323NZ

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP

alpha-and-omega-semiconductor

AO7800

MOSFET 2N-CH 20V 0.9A SC70-6

onsemi

ECH8657-TL-H

MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH

onsemi

ECH8601M-C-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH