מספר מוצר של יצרן:

FDC3601N

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDC3601N-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6

תיאור מפורט:

Mosfet Array 100V 1A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12845996

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDC3601N מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

500mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

5nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

153pF @ 50V

הספק - מקס'

700mW

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

חבילת מכשירים לספקים

SuperSOT™-6

מספר מוצר בסיסי

FDC3601

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

FDC3601N-DG

FDC3601NTR

2832-FDC3601N

FDC3601NDKR

FDC3601NCT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

FDC8602

יצרן

onsemi

כמות זמינה

16909

DiGi מספר חלק

FDC8602-DG

מחיר ליחידה

0.52

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

alpha-and-omega-semiconductor

AON2800

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN

onsemi

NTHD4102PT3G

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

alpha-and-omega-semiconductor

AO4924

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AO4801L

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC