מספר מוצר של יצרן:
FDR6580
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FDR6580-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 11.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
מלאי:
12838297
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDR6580 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3829 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SuperSOT™-8
חבילה / מארז
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
מספר מוצר בסיסי
FDR65
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS6675A
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDA032N08
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
FQB11P06TM
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
