מספר מוצר של יצרן:
FQB11P06TM
Product Overview
יצרן:
onsemi
DiGi Electronics מספר חלק:
FQB11P06TM-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12838306
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQB11P06TM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
onsemi
אריזות
-
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
175mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.13W (Ta), 53W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
FQB11P06
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
FQB11P06TM-DG
FQB11P06TMCT
FQB11P06TMDKR
FQB11P06TMTR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF9Z34STRRPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
398
DiGi מספר חלק
IRF9Z34STRRPBF-DG
מחיר ליחידה
1.20
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRF9Z34STRLPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
5359
DiGi מספר חלק
IRF9Z34STRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.79
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRF9Z34SPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1625
DiGi מספר חלק
IRF9Z34SPBF-DG
מחיר ליחידה
0.76
סוג משאב
Similar
מספר חלק
FQB27P06TM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
14
DiGi מספר חלק
FQB27P06TM-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQAF10N80
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
FDMS86183
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
