FDA032N08

מספר מוצר של יצרן:

FDA032N08

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

FDA032N08-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN

תיאור מפורט:

N-Channel 75 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN

מלאי:

298 יחידות חדשות מק originales במלאי

12838304

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDA032N08 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tube

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

75 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

120A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3.2mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

220 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

15160 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

375W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-3PN

חבילה / מארז

TO-3P-3, SC-65-3

מספר מוצר בסיסי

FDA032

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

ONSONSFDA032N08

2156-FDA032N08-OS

חבילה סטנדרטית

30

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

Not Applicable

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

onsemi

FQB11P06TM

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

onsemi

FQAF10N80

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF

onsemi

FQB34P10TM-F085

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

onsemi

FDMS86183

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN