מספר מוצר של יצרן:
IXTP200N085T
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP200N085T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 85V 200A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 85 V 200A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
12820672
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP200N085T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
TrenchMV™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
85 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
200A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
152 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
480W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP200
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDP039N08B-F102
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
399
DiGi מספר חלק
FDP039N08B-F102-DG
מחיר ליחידה
4.37
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STP140N8F7
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
990
DiGi מספר חלק
STP140N8F7-DG
מחיר ליחידה
1.37
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFB4110PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
6327
DiGi מספר חלק
IRFB4110PBF-DG
מחיר ליחידה
1.96
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTP180N10T
יצרן
IXYS
כמות זמינה
3351
DiGi מספר חלק
IXTP180N10T-DG
מחיר ליחידה
3.12
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRLB4030PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
13619
DiGi מספר חלק
IRLB4030PBF-DG
מחיר ליחידה
1.95
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTM10P60
POWER MOSFET TO-3
IXTH30N50
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
IXTH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247
