IRFB4110PBF
מספר מוצר של יצרן:

IRFB4110PBF

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFB4110PBF-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

6327 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805905
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRFB4110PBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
210 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9620 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
370W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB4110

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
64-0076PBF-DG
448-IRFB4110PBF
64-0076PBF
SP001570598
IRFB4110PBF-DG
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPW60R080P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

infineon-technologies

IRF6636TRPBF

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR2407TRRPBF

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

infineon-technologies

IRLR8113PBF

MOSFET N-CH 30V 94A DPAK