מספר מוצר של יצרן:
IRFB4110PBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFB4110PBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
6327 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805905
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFB4110PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
210 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9620 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
370W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IRFB4110
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
64-0076PBF-DG
448-IRFB4110PBF
64-0076PBF
SP001570598
IRFB4110PBF-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
IRF6636TRPBF
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
IRFR2407TRRPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK