מספר מוצר של יצרן:
FDP039N08B-F102
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDP039N08B-F102-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
399 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946533
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDP039N08B-F102 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
133 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9450 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
214W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSFDP039N08B-F102
2156-FDP039N08B-F102ND
חבילה סטנדרטית
64
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDPF16N50UT
MOSFET N-CH 500V 15A TO220F
IRL60SL216
IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL
STB100NF04T4
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK