מספר מוצר של יצרן:
IXFN60N80P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN60N80P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
12820902
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
BpBe
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN60N80P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
53A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
140mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
250 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
18000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1040W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN60
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
APT53F80J
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
89
DiGi מספר חלק
APT53F80J-DG
מחיר ליחידה
52.75
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
IXFH42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD
IXTP7N60P
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
