APT53F80J
מספר מוצר של יצרן:

APT53F80J

Product Overview

יצרן:

Microchip Technology

DiGi Electronics מספר חלק:

APT53F80J-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 57A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

מלאי:

89 יחידות חדשות מק originales במלאי
13258084
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

APT53F80J מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Microchip Technology
אריזות
Tube
סדרה
POWER MOS 8™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
57A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
570 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
17550 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
960W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
ISOTOP®
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
APT53F80

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
APT53F80J High-Voltage Power Discretes and Modules

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
10

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
microchip-technology

APT24M120B2

MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

microchip-technology

APT60N60SCSG

MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

microchip-technology

APT20M120JCU3

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227

microsemi

APT28F60S

MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK