מספר מוצר של יצרן:
IXFN50N80Q2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFN50N80Q2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 50A (Tc) 1135W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
מלאי:
12821854
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFN50N80Q2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Q2 Class
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.5V @ 8mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
260 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
13500 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1135W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-227B
חבילה / מארז
SOT-227-4, miniBLOC
מספר מוצר בסיסי
IXFN50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXFN60N80P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXFN60N80P-DG
מחיר ליחידה
32.66
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFN66N85X
יצרן
IXYS
כמות זמינה
710
DiGi מספר חלק
IXFN66N85X-DG
מחיר ליחידה
32.46
סוג משאב
Similar
מספר חלק
APT53F80J
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
89
DiGi מספר חלק
APT53F80J-DG
מחיר ליחידה
52.75
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFL82N60P
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264
IXFQ120N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
IXTI10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
