מספר מוצר של יצרן:
IXFH26N55Q
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFH26N55Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD
תיאור מפורט:
N-Channel 550 V 26A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
מלאי:
12821553
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFH26N55Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
HiPerFET™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
550 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 4mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
92 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AD (IXFH)
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IXFH26
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW19NM50N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
337
DiGi מספר חלק
STW19NM50N-DG
מחיר ליחידה
3.02
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG22N50D-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG22N50D-E3-DG
מחיר ליחידה
1.70
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG20N50C-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
6056
DiGi מספר חלק
SIHG20N50C-E3-DG
מחיר ליחידה
1.27
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFP22N50APBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1827
DiGi מספר חלק
IRFP22N50APBF-DG
מחיר ליחידה
2.41
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFP27N60KPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
185
DiGi מספר חלק
IRFP27N60KPBF-DG
מחיר ליחידה
4.92
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
IXFH74N20P
MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD
IXTQ250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO3P
