מספר מוצר של יצרן:
IXTA2N100P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTA2N100P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-263AA
מלאי:
12821554
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTA2N100P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
655 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
86W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263AA
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IXTA2
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD3NK100Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1359
DiGi מספר חלק
STD3NK100Z-DG
מחיר ליחידה
0.95
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH74N20P
MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD
IXTQ250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO3P
IXFT60N25Q
MOSFET N-CH 250V 60A TO268
