מספר מוצר של יצרן:
SIHG22N50D-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHG22N50D-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
12960448
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHG22N50D-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
98 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1938 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
312W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SIHG22
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STW19NM50N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
337
DiGi מספר חלק
STW19NM50N-DG
מחיר ליחידה
3.02
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STW20NK50Z
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
728
DiGi מספר חלק
STW20NK50Z-DG
מחיר ליחידה
2.02
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXFJ26N50P3
יצרן
IXYS
כמות זמינה
30
DiGi מספר חלק
IXFJ26N50P3-DG
מחיר ליחידה
13.52
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTH24N50L
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTH24N50L-DG
מחיר ליחידה
26.61
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTH16N50D2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
291
DiGi מספר חלק
IXTH16N50D2-DG
מחיר ליחידה
10.39
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI1426DH-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
IRFRC20TRR
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
SI7172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
