מספר מוצר של יצרן:
IRF1407PBF
Product Overview
יצרן:
International Rectifier
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF1407PBF-DG
תיאור:
IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
תיאור מפורט:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
1150 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946794
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF1407PBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
75 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
130A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
250 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
330W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
INFIRFIRF1407PBF
2156-IRF1407PBF
חבילה סטנדרטית
236
סיווג סביבתי וייצוא
HTSUS
0000.00.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDFMA2P853
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
FCPF380N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
