FDB86102LZ
מספר מוצר של יצרן:

FDB86102LZ

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDB86102LZ-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

מלאי:

6118 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946803
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDB86102LZ מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
21 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1275 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
FDB86102LZ Datasheet

מידע נוסף

שמות אחרים
ONSONSFDB86102LZ
2156-FDB86102LZ
חבילה סטנדרטית
345

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
fairchild-semiconductor

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDS8672S

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

AUIRF3205ZS

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3