מספר מוצר של יצרן:
FDFMA2P853
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDFMA2P853-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
מלאי:
22471 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946796
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDFMA2P853 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
435 pF @ 10 V
תכונת FET
Schottky Diode (Isolated)
פיזור כוח (מרבי)
1.4W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
6-MicroFET (2x2)
חבילה / מארז
6-VDFN Exposed Pad
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDFMA2P853
ONSONSFDFMA2P853
חבילה סטנדרטית
825
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCPF380N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDB86102LZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
