מספר מוצר של יצרן:
IRFI530NPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFI530NPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
מלאי:
7816 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803493
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFI530NPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
640 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
41W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB Full-Pak
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IRFI530
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
משאבי עיצוב
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IRFI530NPBFINF
SP001554868
*IRFI530NPBF
INFINFIRFI530NPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPL60R385CPAUMA1
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
IPT111N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
IRF7467PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
