מספר מוצר של יצרן:
IPL60R385CPAUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPL60R385CPAUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
מלאי:
12803494
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPL60R385CPAUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ CP
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 340µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
790 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-VSON-4
חבילה / מארז
4-PowerTSFN
מספר מוצר בסיסי
IPL60R385
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000841898
IPL60R385CPCT-DG
IPL60R385CP-DG
2156-IPL60R385CPAUMA1
IPL60R385CPDKR-DG
IPL60R385CPAUMA1CT
IPL60R385CPAUMA1TR
IPL60R385CPCT
IPL60R385CPAUMA1DKR
IPL60R385CPTR-DG
IPL60R385CP
INFINFIPL60R385CPAUMA1
IPL60R385CPDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2A (4 Weeks)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCMT299N60
יצרן
onsemi
כמות זמינה
2390
DiGi מספר חלק
FCMT299N60-DG
מחיר ליחידה
1.85
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STL13NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
2826
DiGi מספר חלק
STL13NM60N-DG
מחיר ליחידה
1.11
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPL60R365P7AUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1925
DiGi מספר חלק
IPL60R365P7AUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.91
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPT111N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
IRF7467PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IPB80N06S4L07ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
