מספר מוצר של יצרן:
IPT111N20NFDATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPT111N20NFDATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 96A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
מלאי:
6592 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803495
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPT111N20NFDATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
96A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.1mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 267µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
87 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7000 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOF-8-1
חבילה / מארז
8-PowerSFN
מספר מוצר בסיסי
IPT111
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPT111N20NFDATMA1TR
IPT111N20NFDATMA1DKR
IPT111N20NFDATMA1CT
SP001340384
IPT111N20NFDATMA1-DG
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7467PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IPB80N06S4L07ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IRFR1205TRR
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
