מספר מוצר של יצרן:
IRF9910
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF9910-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
מלאי:
12803538
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF9910 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A, 12A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.55V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
900pF @ 10V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
IRF99
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF9910
חבילה סטנדרטית
95
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7754
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
IRF6150
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A 16FLIPFET
IRF7338TRPBF
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO