מספר מוצר של יצרן:
IRF6150
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF6150-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A 16FLIPFET
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 7.9A 3W Surface Mount 16-FlipFet™
מלאי:
12803589
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF6150 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.9A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
3W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
16-WFBGA
חבילת מכשירים לספקים
16-FlipFet™
מספר מוצר בסיסי
IRF615
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF6150
IRF6150TR
IRF6150CT
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7338TRPBF
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
IRF7331PBF
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
IRF9910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO