מספר מוצר של יצרן:
IRF7338TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7338TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
מלאי:
12803632
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7338TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.3A, 3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.6nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
640pF @ 9V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
IRF733
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF7338TRPBF-DG
SP001555186
IRF7338TRPBFTR
IRF7338TRPBFDKR
IRF7338TRPBFCT
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF7331PBF
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
IRF9910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
IRF7304TR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
