מספר מוצר של יצרן:
IRF7504TRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7504TRPBF-DG
תיאור:
MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8™
מלאי:
12802739
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7504TRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 P-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.7A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
700mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.2nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
240pF @ 15V
הספק - מקס'
1.25W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
Micro8™
מספר מוצר בסיסי
IRF7504
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
IRF7504TRPBFDKR
IRF7504TRPBFTR
SP001551428
IRF7504TRPBFCT
IRF7504TRPBF-DG
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
2 (1 Year)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPG20N06S415AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
BSO615CGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
IPG20N10S4L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON