מספר מוצר של יצרן:
BSO615CGHUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSO615CGHUMA1-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
מלאי:
12802808
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSO615CGHUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.1A, 2A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22.5nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
380pF @ 25V
הספק - מקס'
2W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
PG-DSO-8
מספר מוצר בסיסי
BSO615
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000216311
BSO615CGHUMA1CT
BSO615CINCT
BSO615CINCT-NDR
BSO615CGXT
BSO615CINTR-NDR
2156-BSO615CGHUMA1
BSO615CGHUMA1DKR
BSO615C G
BSO615CGHUMA1TR
BSO615CG
BSO615CINTR
BSO615CINDKR
BSO615CINDKR-DG
BSO615C
BSO615CGT
IFEINFBSO615CGHUMA1
BSO615C G-DG
BSO615CINTR-DG
BSO615CINCT-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMC6040SSD-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
4135
DiGi מספר חלק
DMC6040SSD-13-DG
מחיר ליחידה
0.20
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BSO615CGXUMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
15587
DiGi מספר חלק
BSO615CGXUMA1-DG
מחיר ליחידה
0.38
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPG20N10S4L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
IRF7379QTRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IRF7389
MOSFET N/P-CH 30V 8SO