מספר מוצר של יצרן:
IPG20N06S415AATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPG20N06S415AATMA1-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 20A 50W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
מלאי:
2 יחידות חדשות מק originales במלאי
12802769
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPG20N06S415AATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Cut Tape (CT)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2260pF @ 25V
הספק - מקס'
50W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-10
מספר מוצר בסיסי
IPG20N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPG20N06S415AATMA1-DG
INFINFIPG20N06S415AATMA1
SP001265578
2156-IPG20N06S415AATMA1
IPG20N06S415AATMA1CT
IPG20N06S415AATMA1DKR
IPG20N06S415AATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPG20N06S415ATMA2
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3754
DiGi מספר חלק
IPG20N06S415ATMA2-DG
מחיר ליחידה
0.47
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSO615CGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
IPG20N10S4L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
IRF7379QTRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC