מספר מוצר של יצרן:
IPZA60R099P7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPZA60R099P7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
מלאי:
240 יחידות חדשות מק originales במלאי
13064060
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPZA60R099P7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 530µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1952 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
117W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-4
חבילה / מארז
TO-247-4
מספר מוצר בסיסי
IPZA60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPZA60R099P7XKSA1
IFEINFIPZA60R099P7XKSA1
SP001707742
חבילה סטנדרטית
240
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP80N04S204AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IPP111N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
IRF7580MTRPBF
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
