מספר מוצר של יצרן:
IRF7580MTRPBF
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF7580MTRPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 114A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
מלאי:
13064064
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF7580MTRPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
StrongIRFET™
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
114A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.6mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
180 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6510 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
115W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DirectFET™ Isometric ME
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric ME
מספר מוצר בסיסי
IRF7580
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001551448
IRF7580MTRPBFDKR
IRF7580MTRPBFTR
IRF7580MTRPBFCT
חבילה סטנדרטית
4,800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD90R1K2C3BTMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
IPA65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
IRFR9014N
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
