מספר מוצר של יצרן:
IPD90R1K2C3BTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPD90R1K2C3BTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
מלאי:
13064065
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPD90R1K2C3BTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 310µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
710 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD90
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3
IPD90R1K2C3DKR
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3BTMA1DKR
SP000413720
IPD90R1K2C3-ND
IPD90R1K2C3BTMA1TR
IPD90R1K2C3CT-ND
IPD90R1K2C3DKR-ND
IPD90R1K2C3TR-ND
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STD6N95K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
14140
DiGi מספר חלק
STD6N95K5-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
IRFR9014N
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
