מספר מוצר של יצרן:
IPU80R3K3P7AKMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPU80R3K3P7AKMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 18W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
12804445
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPU80R3K3P7AKMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.3Ohm @ 590mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 30µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
120 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
18W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPU80R3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IFEINFIPU80R3K3P7AKMA1
SP001636448
2156-IPU80R3K3P7AKMA1
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCU3400N80Z
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
1691
DiGi מספר חלק
FCU3400N80Z-DG
מחיר ליחידה
0.56
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPI80N06S2L05AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP60R210CFD7XKSA1
MOSFET N CH
IRF8304MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
