מספר מוצר של יצרן:
IPP65R125C7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP65R125C7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
470 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804450
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP65R125C7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 440µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1670 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
101W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP65R125
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001080132
2156-IPP65R125C7XKSA1
INFINFIPP65R125C7XKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFU3504PBF
MOSFET N-CH 40V 30A IPAK
IRFR3708TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
IRFIZ48N
MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP
