מספר מוצר של יצרן:
FCU3400N80Z
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FCU3400N80Z-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK
מלאי:
1691 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946477
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCU3400N80Z מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
SuperFET® II
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
32W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I-PAK
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FCU3400N80Z
ONSFSCFCU3400N80Z
חבילה סטנדרטית
492
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
