מספר מוצר של יצרן:
FDD8451
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD8451-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 9A (Ta), 28A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
17802 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946478
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD8451 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta), 28A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
24mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
990 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDD8451
FAIFSCFDD8451
חבילה סטנדרטית
766
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDP8441
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FQPF8N90C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FQPF2N70
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F