מספר מוצר של יצרן:
FQPF8N90C
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF8N90C-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F
מלאי:
2796 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946480
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF8N90C מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2080 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
FQPF8
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FQPF8N90C
ONSFSCFQPF8N90C
חבילה סטנדרטית
237
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQPF2N70
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
FCPF9N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
IRF6668TRPBF
IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
