מספר מוצר של יצרן:
FCPF9N60NT
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FCPF9N60NT-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
1700 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946482
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FCPF9N60NT מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
SuperMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1240 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
29.8W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FCPF9N60NT
ONSONSFCPF9N60NT
חבילה סטנדרטית
217
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF6668TRPBF
IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
STD20NF06T4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
FDC855N
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
