מספר מוצר של יצרן:
IPP65R099C6XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP65R099C6XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
12801669
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP65R099C6XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1.2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2780 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
278W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP65R
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPP65R099C6XKSA1
SP000895218
2156-IPP65R099C6XKSA1
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP34NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
458
DiGi מספר חלק
STP34NM60N-DG
מחיר ליחידה
5.09
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP45N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
690
DiGi מספר חלק
STP45N65M5-DG
מחיר ליחידה
4.19
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPP65R095C7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
362
DiGi מספר חלק
IPP65R095C7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.71
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STP42N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
912
DiGi מספר חלק
STP42N65M5-DG
מחיר ליחידה
5.58
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STWA45N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
339
DiGi מספר חלק
STWA45N65M5-DG
מחיר ליחידה
4.27
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPI075N15N3GHKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
IMZ120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
